Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Siliziumchipfläche — silicio lusto plotas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon chip area vok. Siliziumchipfläche, f rus. площадь кремниевого кристалла ИС, f pranc. surface de la puce de silicium, f … Radioelektronikos terminų žodynas
silicio lusto plotas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon chip area vok. Siliziumchipfläche, f rus. площадь кремниевого кристалла ИС, f pranc. surface de la puce de silicium, f … Radioelektronikos terminų žodynas
silicon chip area — silicio lusto plotas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon chip area vok. Siliziumchipfläche, f rus. площадь кремниевого кристалла ИС, f pranc. surface de la puce de silicium, f … Radioelektronikos terminų žodynas
surface de la puce de silicium — silicio lusto plotas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon chip area vok. Siliziumchipfläche, f rus. площадь кремниевого кристалла ИС, f pranc. surface de la puce de silicium, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Источник опорного напряжения — Источник, или генератор, опорного напряжения (ИОН) базовый электронный узел, поддерживающий на своём выходе высокостабильное постоянное электрическое напряжение. ИОН применяются для задания величины выходного напряжения стабилизированных… … Википедия
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
Квантовый эффект Холла — Квантовый эффект Холла эффект квантования холловского сопротивления или проводимости двумерного электронного газа в сильных магнитных полях и при низких температурах. Квантовый эффект Холла (КЭХ) был открыт Клаусом фон Клитцингом (совместно … Википедия
